真性半導体（しんせいはんどうたい）とは、添加物を混じえてない純粋な半導体のことを指す。英語名「」からi型半導体と呼ばれることもある。ドーピングされている場合は、ドーパントの密度で決まるキャリア密度も、真性半導体の場合、不純物密度でなく、材質そのものからキャリア密度が決定される。このキャリア密度を真性キャリア密度(formula_1)という。この真性キャリア密度は非常に低い値(～10 /cm)である。これは、通常のドーピングで得られるキャリア密度より約10桁近く低い値であるため、通常半導体を使用する場合ドーピングされる場合が多い。真性半導体のホール密度formula_2と電子密度formula_3は、formula_4の関係が成立する(formula_5は伝導帯の電子密度、formula_6は価電子帯のホール密度である)。ドーピングされている場合、フェルミ準位は、そのドナー準位やアクセプタ準位近傍に存在するが、真性半導体では、禁制帯のバンドのほぼ中央に位置する。伝導帯のエネルギーをformula_7、価電子帯のエネルギーをformula_8、電子とホールの有効質量をformula_9、formula_10とした場合、真性半導体のフェルミ準位のエネルギーformula_11は

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